Внутренний SSD диск SAMSUNG 1920GB, U.2 (MZWLR1T9HCJR-00A07)
Характеристики
- DRAM буфер: Нет
- Гарантия: 1 год
- Страна производства: Китай
- Форм-фактор: 2.5"
- Интерфейс: PCIe 4.0 x4 (NVMe)
- Ёмкость накопителя: 1920
- Тип памяти: V-NAND
- Бренд: Samsung Electronics
О товаре
Характеристики
Скоростные характеристики
- Скорость последовательного чтения: 7500
- Скорость последовательной записи: 2500
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32): 1400000
- Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32): 100000
Характеристики памяти накопителя
- DRAM буфер: Нет
- Ёмкость накопителя: 1920
- Тип памяти: V-NAND
Страна и Гарантия
- Гарантия: 1 год
- Страна производства: Китай
Подключение
- Форм-фактор: 2.5"
- Интерфейс: PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Ресурс
- Средняя наработка на отказ: 2000000
- TBW твердотельного накопителя: 3504
Основное
- Бренд: Samsung Electronics
