Внутренний SSD диск SAMSUNG 990 EVO 1000GB, M.2 (MZ-V9E1T0BW)
Код: 1000736158
Характеристики
- Бренд: Samsung Electronics
- Назначение: Клиентские ПК
- TBW твердотельного накопителя: 600
- Скорость последовательного чтения: 5000
- Ёмкость накопителя: 1000
- DRAM буфер: Нет
- Тип памяти: V-NAND
О товаре
Характеристики
Скоростные характеристики
- Скорость последовательного чтения: 5000
- Скорость последовательной записи: 4200
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32): 680000
- Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32): 800000
Характеристики памяти накопителя
- Ёмкость накопителя: 1000
- DRAM буфер: Нет
- Тип памяти: V-NAND
- Кэш-память: HMB
Основное
- Бренд: Samsung Electronics
- Назначение: Клиентские ПК
Ресурс
- TBW твердотельного накопителя: 600
- Средняя наработка на отказ: 1500000
Подключение
- Форм-фактор: M.2 2280
- Интерфейс: PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Страна и Гарантия
- Гарантия: 1 год
- Страна производства: Южная Корея
Описание
Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO базируется на собственном контроллере Samsung, а особенностью является поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCI 5.0 x2, что позволяет достигать максимальной производительности на большинстве устройств. Пропускная способность 990 EVO достигает 5000/4200 МБ/с для последовательного чтения/записи и 680 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи.
В модели используются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, работающие быстрее и стабильнее благодаря оптимизированному блоку IO.
- Скорость последовательного чтения/записи до 5000/4200 МБ/с
- Повышенная энергоэффективность с поддержкой режима Modern Standby
- Удовлетворение потребностей игр, бизнеса и творческой работы
Отзывы
Пока никто не оценил этот товар, будьте первым!
