Внутренний SSD диск SAMSUNG 990 EVO 1000GB, M.2 (MZ-V9E1T0BW)
Характеристики
- Бренд: Samsung Electronics
- DRAM буфер: Нет
- Кэш-память: HMB
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32): 680000
- Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32): 800000
- Страна производства: Южная Корея
О товаре
Описание
Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO базируется на собственном контроллере Samsung, а особенностью является поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCI 5.0 x2, что позволяет достигать максимальной производительности на большинстве устройств. Пропускная способность 990 EVO достигает 5000/4200 МБ/с для последовательного чтения/записи и 680 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи.
В модели используются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, работающие быстрее и стабильнее благодаря оптимизированному блоку IO.
- Скорость последовательного чтения/записи до 5000/4200 МБ/с
- Повышенная энергоэффективность с поддержкой режима Modern Standby
- Удовлетворение потребностей игр, бизнеса и творческой работы
Характеристики
Характеристики памяти накопителя
- DRAM буфер: Нет
- Кэш-память: HMB
Скоростные характеристики
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32): 680000
- Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32): 800000
Основное
- Бренд: Samsung Electronics
Страна и Гарантия
- Страна производства: Южная Корея